進一步發(fā)展！半導體內(nèi)載荷子特征參數(shù)增至7個

半導體是如今這個電子時代的基礎，但半導體內(nèi)的電子電荷還有很多秘密有待揭示，這限制了該領域的進一步發(fā)展。最近，一個國際科研團隊稱，他們在解決這些已延續(xù)140年的物理學謎題上取得重大突破。他們研制出一種新技術，可獲得更多有關半導體內(nèi)電子電荷的信息，有望推動半導體領域的進一步發(fā)展，使我們獲得更好的光電設備等。

為了真正理解半導體的物理性質，首先需要了解其內(nèi)部載荷子的基本特性。1879年，美國物理學家埃德溫·霍爾發(fā)現(xiàn)，磁場會偏轉導體內(nèi)載荷子的運動，偏轉量可測為垂直于電荷流的電壓(霍爾電壓)。因此，霍爾電壓可揭示半導體內(nèi)載荷子的基本信息：是帶負電的電子還是名為“空穴”的帶正電的準粒子、載荷子在電場中的移動速度“遷移率”(μ)、在半導體內(nèi)的密度(n)。此后，研究人員意識到可用光進行霍爾效應測量。

但上述方法只能提供占多數(shù)的載荷子的信息，無法同時提供兩種載荷子(多數(shù)和少數(shù))的特性。而對于許多涉及光的應用，例如太陽能電池等，此類信息至關重要。

據(jù)物理學家組織網(wǎng)13日報道，在最新研究中，來自美國IBM及韓國的科學家發(fā)現(xiàn)了一個新公式和一項新技術，使我們能同時獲取多數(shù)和少數(shù)載荷子的信息。

研究人員稱，從傳統(tǒng)霍爾測量得出的已知多數(shù)載荷子密度開始，他們可以知道多數(shù)和少數(shù)載荷子遷移率和密度隨光強度的變化。該團隊將新技術命名為“載荷子分辨圖像霍爾”(CRPH)測量。利用已知的光照強度，他們還可以確定載荷子的壽命。自發(fā)現(xiàn)霍爾效應以來，這種關系已隱藏了140年。

與傳統(tǒng)霍爾測量中僅獲得3個參數(shù)相比，新技術在每個測試光強度下最多可獲得7個參數(shù)：包括電子和空穴的遷移率;在光下的載荷子密度、重組壽命、電子、空穴和雙極性類型的擴散長度。

研究人員指出，新發(fā)現(xiàn)和新技術有助于加快下一代半導體技術的發(fā)展，讓我們獲得更好的太陽能電池、光電設備以及用于人工智能技術的新材料和設備等。(記者劉霞)

關鍵詞： 半導體內(nèi)載荷子特征參數(shù)